Halbleiter
Integrierte nasschemische Verfahrens- und Anlagenl?sungen f¨¹r aktuelle und zuk¨¹nftige Packaging- und Halbleiteranwendungen
Quick facts
- Fortschrittliche L?sungen f¨¹r Packaginganwendungen ¨C chemische und elektrochemische Abscheidung von Cu, Ni, Pd, Sn, SnAg und Au
- Elektrochemische L?sungen f¨¹r die neueste Verbindungstechnologie ¨C Damascene-Verfahren mit Cu und Co
- MultiPlate: eine innovative elektrochemische Beschichtungsanlage
- Hightech-Reinraumproduktion
Anwendungen
- Pad-Metallisierung mit ENEPIG f¨¹r Leistungschips und Speicher
- RDL, Microvias und Pillar-Plating f¨¹r FOWLP und FC-CSP
- Microvia-TSV-Plating / Filling f¨¹r Sensoren und 3D-Stacking
- Doppelseitige Metallisierung f¨¹r Leistungschips wie z.B. IGBT, MOSFETS, etc..
- Verbindungsmetallisierung f¨¹r Logik-, Speicher- und Leistungs-IC
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RDL, Microvias und Pillar-Plating f¨¹r FOWLP und FC-CSP
Ihre Anforderungen:
Die neuesten Packaging-Technologien wie FOWLP erfordern diverse Beschichtungsl?sungen f¨¹r unterschiedliche Strukturen. Kupfer f¨¹r Fine-Line-RDL mit und ohne gef¨¹llte Microvias, Cu-Pillars mit und ohne Nickel-Sperrschichten und nicht zuletzt Zinn-Silber f¨¹r L?tkappen auf Pillars. Um beste Zuverl?ssigkeiten zu erm?glichen, ist die Reinheit der Kupferschicht entscheidend. Die Reinheit bestimmt die Zuverl?ssigkeit des gesamten Packages und die Vermeidung vor RDL-Fehlstellen (Cracks) beim Fan-out Wafer Level Packaging oder Mikrovoids/ Lunker an Kupfer/Lot-Verbindungen
Unsere L?sung:
Atotech bietet das komplette Beschichtungssortiment f¨¹r Pillars, Microvias und Fine-Line-RDL ¨C Hochreine Cu-Schichten f¨¹r h?chste Zuverl?ssigkeitsanforderungen, seien es RDL, Microvias oder Cu-Pillars. Ein Cu-Elektrolyt f¨¹r Alles, Beschichtung aller Strukturen / Geometrien Microvias, Fine-Line-RDL und Pillars.
Unsere Produkte:
- Spherolyte? Cu UF5: Schnellstes Cu-Pillar Plating mit hervorragenden Homogenit?ten
- Spherolyte? Cu UF3: Reinste Performance f¨¹r Cu-Strukturen wie RDL und ?-Via
- Promobond? AP2: Haftvermittler f¨¹r die n?chste Generation von Packaging Anwendungen
- Spherolyte? Ni: Effektive Sperrschicht zwischen Lot und Cu zur Vermeidung von Hohlr?umen
- Spherolyte? SnAg: Zuverl?ssigste Interconnect L?tanwendungen mit 2 % Ag
Doppelseitige Metallisierung f¨¹r Leistungschips wie z.B. IGBT, MOSFET usw.
Ihre Anforderungen:
Moderne IGBT und Leistungs-MOSFET erfordern eine Metallisierung auf beiden Seiten der Wafer. Das herk?mmliche Verfahren mit sequenzieller Beschichtung der Vorder- und anschlie?end der R¨¹ckseite sorgt h?ufig f¨¹r Spannungen und Verformungen w?hrend der Waferbearbeitung. D¨¹nne Wafer, die zum Einbetten von Dies in Power Packages ben?tigt werden, sind daf¨¹r besonders anf?llig. Daher ist eine wirksame Reduzierung von Spannungen und Verformungen w?hrend der Waferbearbeitung notwendig
Unsere L?sung:
Wir bieten ein Alternativverfahren ¨C gleichzeitige doppelseitige Cu-Beschichtung der Vorder- und R¨¹ckseite zur wirksamen Reduzierung der Spannung und Verformung durch:
- Individuelle Steuerung der Cu-Schichtdicke auf Vorder- und R¨¹ckseite
- Verarbeitungsm?glichkeit von Taiko-Wafern
- Kurzer Prozessablauf
- Anlagen und Chemikalien aus einer Hand
Unsere Produkte:
MultiPlate? and Spherolyte? MD2: Unser ¡°Dreamteam¡° f¨¹r Leistungs-IC
Pad-Metallisierung und RDL-Housing
Ihre Anforderungen:
Drahtbonden oder L?ten ¨C welche Oberfl?che ist f¨¹r Ihre Packaging-Anforderungen am besten geeignet? Und wie bekommt man den gew¨¹nschten Metall-Stack auf den Al- oder Cu-Wafer? Ist dies auch in der Massenproduktion m?glich? Ist das Verfahren zuverl?ssig, bew?hrt in der Automobilbranche oder in noch anspruchsvolleren Umgebungen? All dies sind die typischen Fragen und Herausforderungen, die letztlich bestimmen, welche Metalle f¨¹r First-Level-Verbindungen verarbeitet werden sollen.
Unsere L?sung:
- Universelle Vorbehandlung, d.h. Zinkatierungsprozesse f¨¹r alle Al-Legierungen und universelle Aktivierung f¨¹r Cu-Wafer
- Automotive-erprobte ENEPIG-Stacks (chemisch Ni – chemisch Pd – Sudgold)
- Hochproduktive Prozesse f¨¹r Nassprozess- anlagen, die 25 oder 50 Wafer auf einmal verarbeiten k?nnen.
- Cyanidfreie Verfahren
- Hochtemperaturfeste tern?re Ni-Schichten
- Reine Pd-Schichten f¨¹r erh?hte Zuverl?ssigkeit
Unsere Produkte:
- Xenolyte? Pd HS: Reines Pd f¨¹r qualitativ hochwertige Drahtbondanwendungen
- Xenolyte? Ni TR: Tern?re Ni-Schicht f¨¹r hohe Temperaturfestigkeit
- Xenolyte? Au CF2: Cyanidfreies Sudgoldverfahren
Verbindungsmetallisierungsl?sungen f¨¹r Logik-, Speicher- und Leistungs-IC
Ihre Anforderungen:
Verbindungstechnologien der n?chsten Generation erfordern extreme Leistungen von Nassmetallisierungsverfahren
- Kompatibel mit extrem d¨¹nnen ?Seed Layern¡° f¨¹r BEOL-Kupferverbindungen in der Damascene-Technik
- Filling M?glichkeit f¨¹r ?ffnungen der Vorbeschichtung von weit unter 10 nm sowohl f¨¹r Kupfer- als auch f¨¹r Kobaltverbindungen
- Void-/ Lunkerfreie, hochreine Cu- und Co-Schichten
Von gr??ter Bedeutung ist die void-/lunkerfreie F¨¹llung der Verbindungen. Immer dichtere und komplexere Schaltverbindungen erfordern eine immer h?here Fertigungspr?zision.
Unsere L?sung:
- Atotech bietet, nach neustem Stand der Technik, Chemikalien f¨¹r die Nassmetallisierung von Cu- und Co-Verbindungen an.
- Extreme Reinheitsanforderungen werden von den von uns entwickelten Chemikalien m¨¹helos erf¨¹llt.
- F¨¹r jeden Metallisierungsschritt sind L?sungen verf¨¹gbar, die mit allen modernen ECD-Plattformen kompatibel sind.
Unsere Produkte:
- Everplate? 2XT: Hochleistungsf?higes Additivpaket f¨¹r die Cu ¨CFilling Technologie mittels zukunftsorientierter Damascene-Technik
- Atomplate? Co: Elektrolytisches, reines Co f¨¹r MEOL-Verbindungstechnologien, welches ein echtes Bottom-up-Filling erm?glicht
Featured products
Spherolyte? Cu UF5
Schnellstes -Cu-Pillar Plating mit hervorragenden Homogenit?ten
Spherolyte? Cu UF3
Universelle Plating Chemie f¨¹r Cu Strukturen wie RDL und Micro Via Filling
Promobond? AP2
Haftvermittler f¨¹r die n?chste Generation von Packaging Anwendungen
Xenolyte? Ni TR
Verbesserte Chemie f¨¹r breit einsetzbare und stressarme stromlose Ni-Abscheidung
Spherolyte? Cu UF 5
Schnellstes Cu-Pillar Plating mit hervorragenden Homogenit?ten
Mit Spherolyte? Cu UF 5 sind wir mehr als bereit, die h?rtesten Anforderungen an die Gleichm??igkeit mit einem neuen, reinen und gleichm??igen Kupfers?ulen-Abscheidungsprozess zu erf¨¹llen, der mit den h?chsten Beschichtungsgeschwindigkeiten arbeiten kann.
Hochreine Prozesschemikalien
Reinraumfertigung f¨¹r die Halbleiterindustrie
Unsere hochreinen Chemikalien werden nach den aktuellsten und strengsten Vorgaben der Halbleiterindustrie gefertigt. Die Herstellung und Reinraumabf¨¹llung erfolgt am Standort Neuruppin auf einer Fl?che von 1.500 m? in einer geschlossen Produktionsumgebung auf vollautomatisierten Fertigungsanlagen. Dies garantiert eine effiziente, umweltfreundliche, sichere und wirtschaftliche Produktion.
¡°We continuously strive to provide best-in-class metallization solutions to the semiconductor industry. This makes us a valuable partner for the development of next generation technologies.“
Dr. Christian Ohde
Global Product Director Semiconductor Advanced Packaging jmÌìÌùÙÍø at Atotech Germany
Recent publications
An innovative plating system for next generation packaging technologies
This article was originally published in Silicon Semiconductor.
As device geometries continue to shrink, semiconductor packaging technologies face constant challenges to remain relevant and economically viable. Need of the hour is to develop innovative approaches that cost-effectively address the emerging requirements. This article will explore the current challenges for advanced packaging and how they may be overcame by rethinking traditional manufacturing approaches.
2016, PDF, 3,400 KB
Fan-out packaging: a key enabler for optimal performance in mobile devices
This article was originally published in Chip Scale Review.
The emergence of FOWLP has been directly linked to satisfying the requirements for consumer electronics, and particularly those of mobile devices. This article will explore the drivers behind fan-out packaging, the key processing challenges, and the requirements at the application level. It will also discuss why fan-out is the ideal packaging technology for future generation mobile devices, and will present a turnkey solution for manufacture within both wafer and panel formats.
2017, PDF, 1,200 KB
Next-generation copper pillar plating technologies
This article was originally published in Chip Scale Review.
As the industry moves towards smaller, faster devices, there is mounting pressure on all members of the supply chain to enable higher performance at lower cost.
The limitations of Moore¡¯s Law are evident and advanced technology nodes are no longer providing a significant cost benefit. As a result, the industry has shifted its focus to advanced packaging as a means for providing enhanced performance and lower costs, i.e. ¡°More than Moore.“
The primary drivers for this shift are improved performance, more functionality, and cost reduction. This article will discuss how these three drivers have led to the emergence of flip-chip packaging using pillars and the current and future challenges for Cu pillar technology.
2016, PDF, 560 KB
The Interactions between SNAGCU Solder and NI(P)/AU, NI(P)/PD/AU UBMS
Investigations of intermetallic reactions between the Sn3.5Ag0.5Cu solder and two different UBM structures, Ni(P)/Au and Ni(P)/Pd/Au.
2015, PDF, 2,250 KB
Electronics portfolio overview
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