InPro? SAP2
F¨¹llen von Sackl?chern f¨¹r IC-Substrates in vertikalen Durchlaufanlagen mit unl?slichen Anoden
Pattern-Filling von Sackl?chern mit SAP-Technologie
Rechtwinklige Leiterbahnen und exzellente Oberfl?chenverteilung innerhalb der einzelnen Units auf der Leiterplatte
F¨¹r Feinleiterbahnen
Prozess geeignet f¨¹r die n?chste Generation von Produktionsprozessen mit geringer Kupferschichtdicke und minimalen Vertiefungen
Optimiert f¨¹r die Massenproduktion
Anwendung in hohen Stromdichtebereichen in vertikalen Durchlaufanlagen
F¨¹llen von Sackl?chern mit Pattern Plating Technologie f¨¹r Chiptr?ger mit geringer Kupferschichtdicke
InPro? SAP2 ist ein Pattern Prozess zum gleichm??igen F¨¹llen von Sackl?chern mit unl?slichen Anoden in Vertikalanlagen. Er wurde f¨¹r die Beschichtung von Chiptr?gern im Gleichstrom-Modus mit Eduktoren und externer Kupfererg?nzung entwickelt. F¨¹r eine hohe Prozessleistung kann das Verfahren bei relativ hohen Stromdichten (< 3 A/dm?) angewandt werden.
Gem?? den Vorgaben der IC-Substrate-Industrie erm?glicht der Prozess ein optimales F¨¹llen von Sackl?chern bei minimaler Kupferabscheidung. So erf¨¹llen die Feinleiterbahnen die heutigen (10 ?m/10 ?m) aber auch zuk¨¹nftigen (5 ?m/5 ?m) industriellen Anforderungen. Im Gegensatz zu bestehenden F¨¹llprozessen f¨¹r Sackl?cher erzielt InPro? SAP2 eine gleichm??ige Oberfl?chenverteilung z.B. f¨¹r Flip-Chip-Pattern Plating-Anwendungen.
- F¨¹llprozess von Sackl?chern mit Pattern Plating-Technologie f¨¹r Chiptr?ger
- Feinleiterbahnen mit exzellenter, bereichseinheitlicher Oberfl?chenverteilung
- Zur Verwendung in vertikalen Durchlaufanlagen mit Eduktoren
- Unl?sliche Anoden mit externer Kupfererg?nzung
Mit Pattern Plating bei 1,5 A/dm? beschichtetes Sackloch (60 x 30 ?m)
- F¨¹llen von Sackl?chern mit Pattern Plating-Technologie mit exzellenter Oberfl?chenverteilung innerhalb der einzelnen Units auf der Leiterplatte
- Verteilung
- F¨¹llprozess f¨¹r Sackl?cher mit geringer Vertiefung bei geringer Kupferschichtdicke, keine H¨¹gelbildung
- Rechtwinklige Leiterbahnen ohne konkave W?lbung
- Stabiler F¨¹llprozess f¨¹r eine verl?ngerte Standzeit
- Gro?es Prozessfenster f¨¹r h?chste Prozessflexibilit?t
- Prozessf¨¹hrung im Gleichstrom-Modus mit unl?slichen Anoden f¨¹r h?chste Prozessleistung und eine gleichm??ige Oberfl?chenverteilung
- Alle Additive k?nnen mittels CVS analysiert werden
Warum wir InPro? SAP2 entwickelt haben
Ihre Herausforderung
Das F¨¹llen von Sackl?chern in Feinleiterbahn-Pattern-Plating-Technologie mit minimalen Vertiefungen ist eine Standardanforderung in der Chiptr?ger-Industrie. Au?erdem erfordert die Nachfrage nach gleichm??ig abgeschiedenen Oberfl?chen eine gute Technologie mit exzellenter Oberfl?chenverteilung innerhalb der einzelnen Units auf der Leiterplatte. Um diese Prozess- und Arbeitsziele zu erreichen, m¨¹ssen die F¨¹llprozesse eine fehlerfreie Beschichtung mit der geringstm?glichen Kupferschichtdicke erzielen.
Unsere L?sung f¨¹r Sie
InPro SAP2 ist ein F¨¹llprozess f¨¹r Sackl?cher f¨¹r die Anwendung in vertikalen Durchlaufanlagen mit unl?slichen Anoden, Warenbewegung mittels Eduktoren und Kupferoxid-Erg?nzung. Atotech hat diesen Prozess entwickelt, um die heutigen und zuk¨¹nftigen Anforderungen der Chiptr?ger-Industrie hinsichtlich der Produktion von Feinleiterbahnen zu erf¨¹llen. Hierzu z?hlt auch das Abscheiden einer d¨¹nnstm?glichen Kupferschicht mit optimaler Oberfl?chenverteilung. Mit den hohen Stromdichtebereichen ist InPro SAP2 der ideale Prozess f¨¹r die Massenproduktion.
Fotogalerie
Pattern IC Substrate BMV filling at low surface copper
Pattern IC Substrate BMV filling at low surface copper
BMV 60/25 ?m, plated copper 12 ?m, dimple < 2?m, good track profile
BMV (60 ¡Á 30 ?m) pattern plate at 1.5 A/dm?